沈波：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當(dāng)前，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn)：一是國際政治和經(jīng)濟環(huán)境急劇變化
，技術(shù)封鎖危險加??；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題亟待解決；三是國際上已進入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破
。

第三代半導(dǎo)體也稱寬禁帶半導(dǎo)體，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等，有著突出的光電特性  。第三代半導(dǎo)體是全球技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一 。美日歐等發(fā)達國家和地區(qū)都啟動了相關(guān)計劃，加強對第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局 ，我國也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā) 。

第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用的三大領(lǐng)域分別是光電子器件
，如半導(dǎo)體照明 、激光顯示等；射頻電子器件 ，如移動通信基站、衛(wèi)星通訊等；功率電子器件
，如新能源汽車 、智能電網(wǎng)、高速軌道交通等。我國“新基建”七大產(chǎn)業(yè)方向，如5G基站
、新能源汽車充電樁 、軌道交通等 ，都離不開第三代半導(dǎo)體 
 。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、設(shè)計、芯片  、封測、應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量更加密集，是投資和創(chuàng)新的重點
。

以SiC襯底為例 ，目前已有10多所高校、科研院所和幾十家企業(yè)活躍在國內(nèi)SiC單晶襯底領(lǐng)域，先后攻克了單晶尺寸 、電阻率 、晶型