消息称华为已提出适用于 3D
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消息稱華為已提出適用于 3D-DRAM 的 CAA 晶體管
中國通信設備巨頭華為提出了一種適用于 3D-DRAM 構建的垂直通道全能（channel-all-around ，CAA）晶體管 。
據 eeNews 報道，該提案被包含在一篇論文中 ，將在 2022 年 IEEE 超大規(guī)模集成電路技術和電路研討會上提交 ，該研討會定于 6 月 12 日至 17 日在夏威夷檀香山舉行 。
該器件是一種銦鎵氧化鋅（IGZO）場效應晶體管（FET） ，其 IGZO
消息稱華為已提出適用于 3D-DRAM 的 CAA 晶體管
中國通信設備巨頭華為提出了一種適用于 3D-DRAM 構建的垂直通道全能（channel-all-around ，CAA）晶體管 。
據 eeNews 報道，該提案被包含在一篇論文中 ，將在 2022 年 IEEE 超大規(guī)模集成電路技術和電路研討會上提交 ，該研討會定于 6 月 12 日至 17 日在夏威夷檀香山舉行 。
該器件是一種銦鎵氧化鋅（IGZO）場效應晶體管（FET） ，其 IGZO